ସାଧାରଣତ used ବ୍ୟବହୃତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଚାପ ସେକ୍ଟର ସିଲିକନ୍ ଭାବରେ n- ଟାଇପ୍ ସିଲିକନ୍ ୱାଫର୍ | ପ୍ରଥମେ, ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ଏକ ନିର୍ଦ୍ଦିଷ୍ଟ ଜ୍ୟାମିତି ସହିତ ଏକ ଇଲାଷ୍ଟିକ୍ ଷ୍ଟ୍ରେସିଂ ଅଂଶରେ ତିଆରି | ସିଲିକନ୍ ୱେଫର୍ ର ଚାପ ବହନ କରୁଥିବା ଅଂଶରେ, ଚାରୋଟି ପି-ପ୍ରକାର ଡିଫଫାସନ୍ ଇନସିଷ୍ଟ୍ଟର୍ ଗୁଡିକ ବିଭିନ୍ନ ସ୍ଫଟିକ୍ ନିର୍ଦ୍ଦେଶନାରେ ନିର୍ମିତ, ଏବଂ ତା'ପରେ ଏକ ଚାରୋଟି ବାହୁ ଗାଟର୍ ପଥର ସେଜ୍ ଏହି ଚାରିଟି ପ୍ରତିରୋଧକମାନଙ୍କ ସହିତ ଗଠିତ ହୁଏ | ବାହ୍ୟ ଶକ୍ତିର କାର୍ଯ୍ୟ ଅନ୍ତର୍ଗତ, ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟଗୁଡ଼ିକର ପରିବର୍ତ୍ତନ ବ electrical ଦୁତିକ ସଙ୍କେତ ହୋଇଯାଏ | ଚାପ ପ୍ରଭାବ ସହିତ ଏହି ମଜା ପଥରିତ ବ୍ରିଜ୍ ହେଉଛି ପ୍ରେସର ସେନ୍ସରର ହୃଦୟ, ଯାହା ସାଧାରଣତ thep ଚିତ୍ର 1 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି) | Piezazoresistive Bidge ର ବ Colstrs ଶିଷ୍ଟ୍ୟଗୁଡିକ ନିମ୍ନଲିଖିତ ଭାବରେ: ① ବ୍ରିଜ୍ ର ଏକ ବାହୁର ପ୍ରତିରୋପଣ ମୂଲ୍ୟ ସମାନ (ସମସ୍ତ R0); ବ୍ରିଜ୍ ର ସଂଲଗ୍ନ ବାହୁର Pizoorsiver ପ୍ରଭାବ ମୂଲ୍ୟରେ ସମାନ ଏବଂ ବିପରୀତ; ସେଜ୍ ର ଚାରୋଟି ବାହୁର ପ୍ରତିରୋଧ ତାପମାତ୍ରା ପରିମାଣ ସମାନ, ଏବଂ ସେମାନେ ସର୍ବଦା ସମାନ ଅକ୍ଷର ଅବସ୍ଥାରେ ଥାଏ | ଚିତ୍ରରେ 1, r0 ହେଉଛି କୋଠରୀ ତାପମାତ୍ରାରେ ଚାପ ବିନା ପ୍ରତିରୋଧ ମୂଲ୍ୟ; ତାପମାତ୍ରା ପରିବର୍ତ୍ତନ ହେଲେ ତାପମାତ୍ରା କୋଏଫିସିଏଣ୍ଟ (α) ଦ୍ୱାରା ବିରୋଧୀ କାଦୁଅରେ ଥିବା ପରିବର୍ତ୍ତନ; Υ rδ ହେଉଛି ଷ୍ଟ୍ରେନ୍ (ε) ଦ୍ୱାରା ସୃଷ୍ଟି ହୋଇଥିବା ପ୍ରତିରୋଧର ପରିବର୍ତ୍ତନ; ବ୍ରିଜର ଆଉଟପୁଟ୍ ଭର୍ତ୍ତିଜ୍ ହେଉଛି u = i0 δ rδ = i0rgδ (ପ୍ରାରମ୍ଭିକ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସ ବ୍ରିଜ୍) |

ଯେଉଁଠାରେ i0 ସ୍ଥିର ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଉତ୍ସ ସାମ୍ପ୍ରତିକ ଏବଂ ଇ ସ୍ଥିର ଭୋଲଟେଜ୍ ଉତ୍ସ ଭୋଲଟେଜ୍ | Peizoresistrsive Cridge ର ଆଉଟପୁଟ୍ ଭୋଲଟେଜ୍ ଚତୁର (ε) କୁ ସିଧାସଳଖ ଆନୁପାତିକତା ଦିଆଯାଇନଥାଏ ଏବଂ ପ୍ରତିରୋଧର ତାପମାତ୍ରା Coecifife ଦ୍ୱାରା କ to ଣସି ସମ୍ପର୍କ ନାହିଁ, ଯାହା ସେନ୍ସର ତାପମାତ୍ରା ଡ୍ରାଇଫ୍ କୁ ଅଧିକ ହ୍ରାସ କରେ ନାହିଁ | ବହୁଳ ଭାବରେ ବ୍ୟବହୃତ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ପ୍ରସଙ୍ଗ ସେନସର ହେଉଛି ତରଳ ଚାପ ଚିହ୍ନଟ କରିବା ପାଇଁ ଏକ ସେନ୍ସର | ଏହାର ମୁଖ୍ୟ ସଂରଚନା ହେଉଛି ଏକ କ୍ୟାପସୁଲ୍ ସିଲିକନ୍ ସିଲିକନ୍ (ଚିତ୍ର 2 ରେ ଦେଖାଯାଇଥିବା ପରି) | ଡାଏଫ୍ରୁଜମ୍ ଏକ କପରେ ତିଆରି ହୋଇଛି, ଏବଂ କପର ତଳ ଅଂଶ ଯାହା ବାହ୍ୟ ଶକ୍ତି ବହନ କରେ, ଏବଂ କପ୍ ତଳେ ଥିବା ଚାପ ବ୍ରିଜ୍ ତିଆରି ହୁଏ | ରିଙ୍ଗ ପେଡେଷ୍ଟାଲ୍ ସମାନ ସିଲିକନ୍ ସିଙ୍ଗଲ୍ ସ୍ଫଟିକ୍ ସାମଗ୍ରୀରେ ତିଆରି, ଏବଂ ତା'ପରେ ଡାଏଫ୍ରାଗମ୍ ପେଡେଷ୍ଟାଲରେ ବନ୍ଧିତ | ଏହି ପ୍ରକାର ପ୍ରପର୍ଶକାରକାରୀଙ୍କ ଉଚ୍ଚ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷେତ୍ରର ସୁବିଧା ଅଛି, ଛୋଟ ଭଲଭା ଏବଂ ଆରାମର ସୁବିଧା ଅଛି, ଏବଂ ଅନୁବସ୍ଥାରେ ବହୁଳ ଭାବରେ, ସ୍ପେସ୍ ନାଭିଗେସନ୍, ଅଟୋମାଳା ଇନଷ୍ଟ୍ରୁମାନ ଏବଂ ଚିକିତ୍ସା ବ୍ୟବସ୍ଥା ଅଛି |