ଉଚ୍ଚ ଚାପର ଚାପ ସେନସର YN52S00027P1 ଶେଙ୍ଗଙ୍ଗର SK200-6 ଖନନକାରୀ ପାଇଁ ଉପଯୁକ୍ତ |

ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ପ୍ରେସର ଭଲଭରେ ବ୍ୟବହୃତ ସାମଗ୍ରୀ ପାଇଁ, ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଏବଂ ଭୂପୃଷ୍ଠ କଠିନତା ସାଧାରଣତ their ସେମାନଙ୍କର ଏକ୍ସଟ୍ରୁଜନ୍ ପ୍ରତିରୋଧ ଏବଂ କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |

1, ଶୂନ୍ୟ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା |

ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ବୁ refers ାଏ ଯେଉଁଥିରେ ୱାର୍କସିପ୍ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ ରଖାଯାଇଥାଏ |ଭ୍ୟାକ୍ୟୁମ୍ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ଗରମ ସମୟରେ ଅକ୍ସିଡେସନ୍, ଡିକାରବ୍ରାଇଜେସନ୍ ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ କ୍ଷୟ ସୃଷ୍ଟି କରେ ନାହିଁ, ବରଂ ଭୂପୃଷ୍ଠକୁ ଶୁଦ୍ଧ କରିବା, ଅବନତି ଏବଂ ଅବକ୍ଷୟ କରିବାର କାର୍ଯ୍ୟ ମଧ୍ୟ କରେ |ତରଳିବା ସମୟରେ ପଦାର୍ଥ ଦ୍ୱାରା ଶୋଷିତ ହାଇଡ୍ରୋଜେନ, ନାଇଟ୍ରୋଜେନ ଏବଂ ଅମ୍ଳଜାନକୁ ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ ବାହାର କରାଯାଇପାରିବ ଏବଂ ପଦାର୍ଥର ଗୁଣବତ୍ତା ଏବଂ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରାଯାଇପାରିବ |ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, W18Cr4V ରେ ନିର୍ମିତ ଅଲ୍ଟ୍ରା-ହାଇ ପ୍ରେସର ଛୁଞ୍ଚିର ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଉତ୍ତାପ ଚିକିତ୍ସା ପରେ, ଛୁଞ୍ଚିର ଭଲଭ୍ ର ପ୍ରଭାବ ଇଚ୍ଛାଶକ୍ତି ପ୍ରଭାବଶାଳୀ ଭାବରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇଥାଏ ଏବଂ ସେହି ସମୟରେ ଯାନ୍ତ୍ରିକ ଗୁଣ ଏବଂ ସେବା ଜୀବନ ଉନ୍ନତ ହୁଏ |

2. ପୃଷ୍ଠଭୂମି ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଚିକିତ୍ସା |

ଅଂଶଗୁଡିକର କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ, ପଦାର୍ଥ ବଦଳାଇବା ସହିତ, ଅଧିକ ଭୂପୃଷ୍ଠକୁ ଶକ୍ତିଶାଳୀ ଚିକିତ୍ସା ପଦ୍ଧତି ଗ୍ରହଣ କରାଯାଏ |ଯେପରିକି ଭୂପୃଷ୍ଠ ଲିଭାଇବା (ଅଗ୍ନି ଉତ୍ତାପ, ଉଚ୍ଚ ଏବଂ ମଧ୍ୟମ ଫ୍ରିକ୍ୱେନ୍ସି ଗରମ ପୃଷ୍ଠ ଲିଭାଇବା, ଯୋଗାଯୋଗ ବ electric ଦ୍ୟୁତିକ ଉତ୍ତାପ ପୃଷ୍ଠ ଲିଭାଇବା, ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋଲାଇଟ୍ ଗରମ ପୃଷ୍ଠ ଲିଭାଇବା, ଲେଜର ଇଲେକ୍ଟ୍ରନ୍ ବିମ୍ ଗରମ ପୃଷ୍ଠ ଲିଭାଇବା ଇତ୍ୟାଦି), କାର୍ବୁରାଇଜିଂ, ନାଇଟ୍ରାଇଡିଂ, ସିଆନାଇଡିଂ, ବୋରୋନାଇଜିଂ (TD ପଦ୍ଧତି), ଲେଜର ଶକ୍ତିଶାଳୀ, ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(CVD ପଦ୍ଧତି), ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD ପଦ୍ଧତି), ପ୍ଲାଜମା ରାସାୟନିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PCVD ପଦ୍ଧତି) ପ୍ଲାଜମା ସ୍ପ୍ରେ ଇତ୍ୟାଦି |

ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ଜମା ​​(PVD ପଦ୍ଧତି)

ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନରେ, ଧାତୁ ଆୟନ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ବାଷ୍ପୀକରଣ, ଆୟନ ପ୍ଲେଟିଂ ଏବଂ ସ୍ପୁଟର୍ ଭଳି ଶାରୀରିକ ପଦ୍ଧତି ବ୍ୟବହୃତ ହୁଏ |ଏହି ଧାତୁ ଆୟନଗୁଡିକ ଏକ ଧାତୁ ଆବରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ କାର୍ଯ୍ୟକ୍ଷେତ୍ରର ପୃଷ୍ଠରେ ଜମା ହୋଇଥାଏ, କିମ୍ବା ଏକ ଯ ound ଗିକ ଆବରଣ ସୃଷ୍ଟି କରିବା ପାଇଁ ରିଆକ୍ଟର ସହିତ ପ୍ରତିକ୍ରିୟା କରିଥାଏ |ଏହି ଚିକିତ୍ସା ପ୍ରକ୍ରିୟାକୁ ଶାରୀରିକ ବାଷ୍ପ ସଂରକ୍ଷଣ, କିମ୍ବା ସଂକ୍ଷେପରେ PVD କୁହାଯାଏ |ଏହି ପଦ୍ଧତିରେ ନିମ୍ନ ଜମା ତାପମାତ୍ରା, 400 ~ 600 ℃ ଚିକିତ୍ସା ତାପମାତ୍ରା, ଛୋଟ ବିକୃତି ଏବଂ ମାଟ୍ରିକ୍ସ ଗଠନ ଏବଂ ଅଂଶଗୁଡ଼ିକର ଗୁଣ ଉପରେ ସାମାନ୍ୟ ପ୍ରଭାବ ରହିଛି |PVD ପଦ୍ଧତି ଦ୍ W ାରା W18Cr4V ଦ୍ୱାରା ନିର୍ମିତ ଛୁଞ୍ଚି ଭଲଭରେ ଏକ TiN ସ୍ତର ଜମା କରାଯାଇଥିଲା |TiN ସ୍ତରରେ ଅତ୍ୟଧିକ ଉଚ୍ଚ କଠିନତା (2500 ～ 3000HV) ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ପରିଧାନ ପ୍ରତିରୋଧକତା, ଯାହା ଭଲଭ୍ର କ୍ଷୟ ପ୍ରତିରୋଧକୁ ଉନ୍ନତ କରିଥାଏ, ମିଶ୍ରିତ ହାଇଡ୍ରୋକ୍ଲୋରିକ୍ ​​ଏସିଡ୍, ସଲଫୁରିକ୍ ଏସିଡ୍ ଏବଂ ନାଇଟ୍ରିକ୍ ଏସିଡ୍ ରେ କ୍ଷୟ ହୋଇନଥାଏ ଏବଂ ଏକ ଉଜ୍ଜ୍ୱଳ ପୃଷ୍ଠ ରଖିପାରେ |PVD ଚିକିତ୍ସା ପରେ, ଆବରଣର ଭଲ ସଠିକତା ଅଛି |ଏହା ଭୂମି ଏବଂ ପଲିସ୍ ହୋଇପାରେ, ଏବଂ ଏହାର ଭୂପୃଷ୍ଠର ରୁଗ୍ଣତା ହେଉଛି Ra0.8µm, ଯାହା ପଲିସିଂ ପରେ 0.01µm ରେ ପହଞ୍ଚିପାରେ |